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[材料题]
单项选择题1.用釉粉上釉的烧结温度是

A、低于体瓷烧结温度6～8℃

B、高于体瓷烧结温度10℃

C、高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间

D、形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡

E、防止磨料成分污染金属表面

  • A

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单项选择题2.自身釉烧结的温度是

A、低于体瓷烧结温度6～8℃

B、高于体瓷烧结温度10℃

C、高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间

D、形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡

E、防止磨料成分污染金属表面

  • B

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单项选择题3.金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是

A、低于体瓷烧结温度6～8℃

B、高于体瓷烧结温度10℃

C、高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间

D、形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡

E、防止磨料成分污染金属表面

  • E

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单项选择题4.除气、氧化的方法是

A、低于体瓷烧结温度6～8℃

B、高于体瓷烧结温度10℃

C、高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间

D、形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡

E、防止磨料成分污染金属表面

  • D

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