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- 简答题 试述兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位作用及原理
- （1）EPSP：突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部去极化电位变化。 原理：兴奋性递质作用于突触后膜的相应受体，使递质门控通道开放，后膜对Na+和k+的通透性增大，并且由于Na+ 的流大于k+的外流，故发生净向电流，导致细胞膜的局部去极化。 （2）IPSP:突触后膜在某种神经递质下产生局部超极化电位变化。 原理：抑制性中间神经元释放的抑制性递质作用于突触后膜，使后膜上的递质门控氯通道开放，引起外向电流，结果使突触后膜发生超极化。 作用：突触后膜上电位的改变总趋势决定于EPSP和IPSP的代数和。
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